LED 外延片工艺流程如下：

衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；

外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级

具体介绍如下：

固定：将单晶硅棒固定在加工台上。

切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。

倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。

研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。

清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。

RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。

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视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

我们平常所见到的电子芯片，比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等，跟LED芯片主要有什么区别？LED芯片是不是只是把一大堆能发光的二极管布在晶圆上呢？LED芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢？

蕞大的不同是：1，材料不一样，前者为硅基，后者为三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者对材料缺陷率要求更高。

电子芯片长在硅衬底上，中间各种光刻、刻蚀、掺杂、长膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料为主；而LED长在蓝宝石（Al2O3）、SiC或Si衬底上，缓冲层后长成后，再长N型GaN层和P型GaN层，中间一层多量i子阱发光层。电流经过PN结时因为电势能的变化将多余的能量以光的形式散发出去，不同的电势能差则光的能量也有不同，表现就是不同的发光颜色（如蓝光、红光LED，红光能量低技术简单，很多年以前就出来了；蓝光LED能量高，难度大。蓝光LED激发黄色荧光粉可产生白光）

二次封装LED主要可用于以下几个方面：

　　(1)应用于广场、公园地下　　由于二次封装LED防护等级达到高的IP68，可用于地下、水下等恶劣环境，被广泛的应用于广场、公园、河道等场所的景观用灯。如武汉的江滩公园玻璃广场地下景观及显示屏照明、杭州西城广场地下灯光带、鄂尔多斯草坪造型照明、诸暨浦阳江河道照明等。照明设计师在设计广场、公园、河道等场所照明时，可以利用二次封装LED该特性，改变传统景观照明设计的局限性，创意出更好的景观照明作品。

　　(2)应用于桥梁照明　　因二次封装LED点光源外形超薄、材质透明、体积小、重量轻、软线连接的特点，当在桥梁上使用时，与传统的LED数码管和传统的LED点光源相比，不会破坏桥梁的白天效果，非常适合像桥梁这种安装维护难度较高的环境。如：青岛丹山大桥、绍兴常禧桥、南通怡桥。

　　(3)应用于楼体轮廓及立面幕墙　　以往幕墙照明是一个难以解决的灯照明设计课题，二次封装LED的面世，了这一难题，其安装灵活、防水性好、安全节能，是幕墙节点安装的理想灯具。利用电脑控制，设计成广告显示屏形式，既可以作为外墙景观照明的一部分，也可以作为广告显示屏使用。